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          发展历程
          2016

          自主1700V IGBT中标印度机车市场,中国"自主芯"首次出口海外

          中标酒泉-湖南、上海庙-山东、淮东-淮南、巴西美丽山等多个(特)高压直流输电项目

          2015

          自主1500A/3300V IGBT在厦门柔性直流输电科技示范工程成功挂网应用

          新型功率半导体器件国家重点实验室获准建设

          2014

          IGBT产业化基地建成投产,实现IGBT芯片国产化

          国家能源大功率电力电子器件研发中心通过专业评审

          牵头成立中国IGBT技术创新与产业联盟

          2013

          8英寸IGBT产业化基地调试运行

          2012

          中标哈密-郑州特高压直流输电(UHVDC)项目

          2011

          SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化获国家亿元资金支持

          2010

          在英国成立功率半导体海外研发中心

          自主IGBT产品进入地铁和机车牵引传动市场

          2009

          6英寸器件生产线、国内首条高压IGBT模块封装线建成投产

          2008

          并购丹尼克斯(Dynex)电力电子股份有限公司

          6英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(河南灵宝)

          2007

          5英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(辽宁高岭)

          2006

          成功研制出世界上第一只6英寸8500V商用HVDC晶闸管

          2005

          5英寸器件生产线建成

          机车领域全面采用5英寸器件

          2002

          4英寸全压接器件全面推向电解铝领域

          2000

          全压接器件批量推向市场

          建成4英寸全压接生产线

          1999

          产品开始批量出口美国

          1989

          建成3英寸器件生产线

          1985

          引进美国西屋公司烧结工艺技术

          1968

          开发出300/500A硅二极管,"硅改"成功

          1964

          开始研发大功率半导体器件技术

          备注:①硅改:在电力机车变流中,用硅整流代替汞引燃整流器,俗称“硅改”。