发展历程
          2016
          自主1700V IGBT中标印度机车市场,中国"自主芯"首次出口海外 中标酒泉-湖南、上海庙-山东、淮东-淮南、巴西美丽山等多个(特)高压直流输电项目
          2015
          自主1500A/3300V IGBT在厦门柔性直流输电科技示范工程成功挂网应用 新型功率半导体器件国家重点实验室获准建设
          2014
          IGBT产业化基地建成投产,实现IGBT芯片国产化 国家能源大功率电力电子器件研发中心通过专业评审 牵头成立中国IGBT技术创新与产业联盟
          2013
          8英寸IGBT产业化基地调试运行
          2012
          中标哈密-郑州特高压直流输电(UHVDC)项目
          2011
          SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化获国家亿元资金支持
          2010
          在英国成立功率半导体海外研发中心 自主IGBT产品进入地铁和机车牵引传动市场
          2009
          6英寸器件生产线、国内首条高压IGBT模块封装线建成投产
          2008
          并购丹尼克斯(Dynex)电力电子股份有限公司 6英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(河南灵宝)
          2007
          5英寸器件进入高压直流输电(HVDC)市场(辽宁高岭)
          2006
          成功研制出世界上第一只6英寸8500V商用HVDC晶闸管
          2005
          5英寸器件生产线建成 机车领域全面采用5英寸器件
          2002
          4英寸全压接器件全面推向电解铝领域
          2000
          全压接器件批量推向市场 建成4英寸全压接生产线
          1999
          产品开始批量出口美国
          1989
          建成3英寸器件生产线
          1985
          引进美国西屋公司烧结工艺技术
          1968
          开发出300/500A硅二极管,"硅改"成功
          1964
          开始研发大功率半导体器件技术
          备注:①硅改:在电力机车变流中,用硅整流代替汞引燃整流器,俗称“硅改”。